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codice articolo del costruttore | MA4AGBLP912 |
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Numero di parte futuro | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4AGBLP912 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 40mA |
Capacità @ Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
XC3S400A-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
5SGSED8N2F45I2LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P250-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel
EPF10K20RI240-4N
Intel