casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MA3X721E0L
codice articolo del costruttore | MA3X721E0L |
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Numero di parte futuro | FT-MA3X721E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA3X721E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3X721E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA3X721E0L-FT |
BAS70-06-TP
Micro Commercial Co
BAT64-05-TP
Micro Commercial Co
1SS181-TP
Micro Commercial Co
1SS184-TP
Micro Commercial Co
1SS226-TP
Micro Commercial Co
BAS21C-TP
Micro Commercial Co
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAT54C,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel