casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MA3SE0100L
codice articolo del costruttore | MA3SE0100L |
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Numero di parte futuro | FT-MA3SE0100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA3SE0100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 35mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 35mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 15V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3SE0100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA3SE0100L-FT |
RB495DT146
Rohm Semiconductor
RB706D-40T146
Rohm Semiconductor
RB088NS-30FHTL
Rohm Semiconductor
RB088NS-40FHTL
Rohm Semiconductor
RB088NS100TL
Rohm Semiconductor
RB228NS-60FHTL
Rohm Semiconductor
RB238NS-30FHTL
Rohm Semiconductor
RB238NS-60FHTL
Rohm Semiconductor
RB088NS-60FHTL
Rohm Semiconductor
RB218NS-30FHTL
Rohm Semiconductor
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel