casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MA3D649
codice articolo del costruttore | MA3D649 |
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Numero di parte futuro | FT-MA3D649 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA3D649 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220D |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3D649 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA3D649-FT |
RF04UA2DTR
Rohm Semiconductor
RF051UA1DTR
Rohm Semiconductor
RR274EA-400TR
Rohm Semiconductor
RB496EATR
Rohm Semiconductor
RB550EATR
Rohm Semiconductor
MSD6100
ON Semiconductor
MSD6100G
ON Semiconductor
MSD6100RLRA
ON Semiconductor
MSD6100RLRAG
ON Semiconductor
SB80W10T-TL-H
ON Semiconductor
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel