casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MA2J1110GL
codice articolo del costruttore | MA2J1110GL |
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Numero di parte futuro | FT-MA2J1110GL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2J1110GL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini2-F3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2J1110GL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2J1110GL-FT |
1N4148T-73
Rohm Semiconductor
1N4148T-77
Rohm Semiconductor
R7221608CSOO
Powerex Inc.
R6221640ESOO
Powerex Inc.
R5021210RSZT
Powerex Inc.
R5011415XXZT
Powerex Inc.
R5001415XXZT
Powerex Inc.
R5031210RSZT
Powerex Inc.
R5000210XXWA
Powerex Inc.
R5000215XXWA
Powerex Inc.
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel