casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MA2C18800E
codice articolo del costruttore | MA2C18800E |
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Numero di parte futuro | FT-MA2C18800E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2C18800E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AG, DO-34, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO34-A1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2C18800E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2C18800E-FT |
RFUS20TM4S
Rohm Semiconductor
RFUH20TB4S
Rohm Semiconductor
RF2001T4S
Rohm Semiconductor
1SS133T-72
Rohm Semiconductor
1SS133T-77
Rohm Semiconductor
1SS244T-72
Rohm Semiconductor
1SS244T-77
Rohm Semiconductor
RB441Q-40T-72
Rohm Semiconductor
RB441Q-40T-77
Rohm Semiconductor
RB721Q-40T-72
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel