casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MA2C029QAF
codice articolo del costruttore | MA2C029QAF |
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Numero di parte futuro | FT-MA2C029QAF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2C029QAF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 6V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 3mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 6V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AG, DO-34, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO34-A1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2C029QAF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2C029QAF-FT |
1SS244T-77
Rohm Semiconductor
RB441Q-40T-72
Rohm Semiconductor
RB441Q-40T-77
Rohm Semiconductor
RB721Q-40T-72
Rohm Semiconductor
RB721Q-40T-77
Rohm Semiconductor
1N4004AT-82
Rohm Semiconductor
1N4148T-72
Rohm Semiconductor
1N4148T-73
Rohm Semiconductor
1N4148T-77
Rohm Semiconductor
R7221608CSOO
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel