casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95512-RMC6TG
codice articolo del costruttore | M95512-RMC6TG |
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Numero di parte futuro | FT-M95512-RMC6TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M95512-RMC6TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 16MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-UFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-RMC6TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95512-RMC6TG-FT |
93C56BT-E/MNY
Microchip Technology
93C56BT-I/MNY
Microchip Technology
93C56CT-E/MNY
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93C66AT-E/MNY
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93C66CT-I/MNY
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel