casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95512-DRDW3TP/K
codice articolo del costruttore | M95512-DRDW3TP/K |
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Numero di parte futuro | FT-M95512-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW3TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 16MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW3TP/K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95512-DRDW3TP/K-FT |
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
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N25Q064A13EF840F TR
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N25Q064A13EF8A0E
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N25Q064A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0E
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N25Q064A13EF8H0F TR
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N25Q064A13EW7D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0E
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N25Q128A11BF840F TR
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