casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58WR064KT70ZB6F TR
codice articolo del costruttore | M58WR064KT70ZB6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M58WR064KT70ZB6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR064KT70ZB6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | 66MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-VFBGA (7.7x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR064KT70ZB6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58WR064KT70ZB6F TR-FT |
M50FLW040BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080AN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel