casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / M55342H10B200DRWS
codice articolo del costruttore | M55342H10B200DRWS |
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Numero di parte futuro | FT-M55342H10B200DRWS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-55342, RM1010 |
M55342H10B200DRWS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | Military, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1010 |
Dimensione / Dimensione | 0.105" L x 0.100" W (2.67mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.033" (0.84mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | R (0.01%) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M55342H10B200DRWS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M55342H10B200DRWS-FT |
M55342K11B60E4RWSV
Vishay Dale
M55342K11B63D4RWSV
Vishay Dale
M55342K11B66E5RWSV
Vishay Dale
M55342K11B68D1RWSV
Vishay Dale
M55342K11B68E1RWSV
Vishay Dale
M55342K11B6B29RT3
Vishay Dale
M55342K11B6B81RWS
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M55342K11B6E04RBSV
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M55342K11B6E04RT5V
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M55342K11B6E04RTSV
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LFE2-12E-5TN144I
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LCMXO2280E-4TN100I
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5AGXBA5D4F27C5N
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EP4SE530H40I3N
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XC6SLX16-N3CSG225C
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XC6VCX130T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C2N
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