casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M34E02-FDW6TP
codice articolo del costruttore | M34E02-FDW6TP |
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Numero di parte futuro | FT-M34E02-FDW6TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M34E02-FDW6TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M34E02-FDW6TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M34E02-FDW6TP-FT |
M95320-DRDW6TP
STMicroelectronics
M95320-DRDW8TP/K
STMicroelectronics
M95320-DWDW4TP/K
STMicroelectronics
M95512-DRDW6TP
STMicroelectronics
M95512-DRDW8TP/K
STMicroelectronics
M95512-DWDW4TP/K
STMicroelectronics
M95640-DRDW3TP/K
STMicroelectronics
M95M01-DWDW3TP/K
STMicroelectronics
AT24C512C-XHD-T
Microchip Technology
CAV24C128YE-GT3
ON Semiconductor
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel