casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W400DT70N6E
codice articolo del costruttore | M29W400DT70N6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W400DT70N6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DT70N6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DT70N6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W400DT70N6E-FT |
M29DW323DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW640F70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW641F70N6E
Micron Technology Inc.
M29DW641F70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6
Micron Technology Inc.
M29F200BB70N6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel