casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W320DB7AN6F TR

| codice articolo del costruttore | M29W320DB7AN6F TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-M29W320DB7AN6F TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| M29W320DB7AN6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M29W320DB7AN6F TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | M29W320DB7AN6F TR-FT |

M29F400FT55M3T2 TR
Micron Technology Inc.

M29F400FT55N3E2
Micron Technology Inc.

M29F400FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.

M29F400FT5AM62
Micron Technology Inc.

M29F400FT5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.

M29F400FT5AN6E2
Micron Technology Inc.

M29F800AB70M1
Micron Technology Inc.

M29F800DB70M1
Micron Technology Inc.

M29F800DB70M6
Micron Technology Inc.

M29F800DB70M6E
Micron Technology Inc.

XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.

M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation

LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation

5CEFA7F27I7N
Intel

EP3C80U484C7N
Intel

5SGXMA4K2F35I2N
Intel

XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.

XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.

XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.

XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.