casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W256GH7AZS6E
codice articolo del costruttore | M29W256GH7AZS6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W256GH7AZS6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W256GH7AZS6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (11x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GH7AZS6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W256GH7AZS6E-FT |
M29F400FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3E2
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel