casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W160ET90N6
codice articolo del costruttore | M29W160ET90N6 |
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Numero di parte futuro | FT-M29W160ET90N6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160ET90N6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 90ns |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160ET90N6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W160ET90N6-FT |
MT29F4G16ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel