casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W160EB90N6
codice articolo del costruttore | M29W160EB90N6 |
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Numero di parte futuro | FT-M29W160EB90N6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160EB90N6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 90ns |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160EB90N6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W160EB90N6-FT |
MT29F4G16ABADAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel