casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F800DB70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29F800DB70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F800DB70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800DB70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DB70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F800DB70N6F TR-FT |
MT29F2G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABDHC-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABDHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC:D
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel