casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F400BB55N6T TR
codice articolo del costruttore | M29F400BB55N6T TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F400BB55N6T TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F400BB55N6T TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F400BB55N6T TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F400BB55N6T TR-FT |
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC-ET:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel