casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M27V322-100F1
codice articolo del costruttore | M27V322-100F1 |
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Numero di parte futuro | FT-M27V322-100F1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27V322-100F1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Dimensione della memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacchetto dispositivo fornitore | 42-CDIP Frit Seal with Window |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27V322-100F1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M27V322-100F1-FT |
LE25LB2562CT-TE-F-H
ON Semiconductor
LE25S81MCS00TWG
ON Semiconductor
LE26CAP08TT-BH
ON Semiconductor
LE28F4001CTS12-MPB-E
ON Semiconductor
LH28F160BJE-BTL90
Sharp Microelectronics
LH28F160S3HNS-L10
Sharp Microelectronics
LH28F160S3HNS-TV
Sharp Microelectronics
LH28F160S5HNS-L70
Sharp Microelectronics
LH28F160S5HNS-S1
Sharp Microelectronics
LH28F320BJE-PBTL90
Sharp Microelectronics
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel