casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M27V322-100B1
codice articolo del costruttore | M27V322-100B1 |
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Numero di parte futuro | FT-M27V322-100B1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27V322-100B1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 42-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 42-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27V322-100B1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M27V322-100B1-FT |
7142LA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142LA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA100J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA100J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel