casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M27C512-10C6TR
codice articolo del costruttore | M27C512-10C6TR |
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Numero di parte futuro | FT-M27C512-10C6TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C512-10C6TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PLCC (11.35x13.89) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-10C6TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M27C512-10C6TR-FT |
JS28F512M29EWLD
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75D TR
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75E
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75G
Micron Technology Inc.
JS28F640P30BF75D
Micron Technology Inc.
JS28F640P30TF75A
Micron Technology Inc.
JS28F640P33BF70A
Micron Technology Inc.
K770022CF0C000
Cypress Semiconductor Corp
LE24162LBXA-SH
ON Semiconductor
LE24L043CB-TL-TE-R-H
ON Semiconductor