casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24C02-DRDW3TP/K

| codice articolo del costruttore | M24C02-DRDW3TP/K |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-M24C02-DRDW3TP/K |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q100 |
| M24C02-DRDW3TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
| Frequenza di clock | 1MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
| Tempo di accesso | 450ns |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M24C02-DRDW3TP/K Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | M24C02-DRDW3TP/K-FT |

MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR
Micron Technology Inc.

N25Q032A11EF640E
Micron Technology Inc.

N25Q032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.

N25Q032A13EF640E
Micron Technology Inc.

N25Q032A13EF640F TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF640E
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF640F TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.

N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.

XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.

M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation

5SGXMBBR3H43C2LN
Intel

XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.

XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.

XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.

XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.

ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation

10AX115H2F34I2SGES
Intel

5AGXBB3D4F35C5N
Intel