casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / M20H90CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | M20H90CTHE3_A/P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-M20H90CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
M20H90CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 90V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M20H90CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M20H90CTHE3_A/P-FT |
BYQ28EF-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel