casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / LTO150F1R000JTE3
codice articolo del costruttore | LTO150F1R000JTE3 |
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Numero di parte futuro | FT-LTO150F1R000JTE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LTO 150 |
LTO150F1R000JTE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 150W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.197" W (15.76mm x 5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.953" (24.20mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LTO150F1R000JTE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LTO150F1R000JTE3-FT |
RWM084522R0JB25E1
Vishay Sfernice
RWM08453R30JB25E1
Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
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RWM063468R0JS09E1
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A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
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5CEBA4U15C8N
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