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codice articolo del costruttore | LTE-302 |
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Numero di parte futuro | FT-LTE-302 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LTE-302 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Infrared (IR) |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Intensità radiante (Ie) Min @ If | 0.662mW/sr @ 20mA |
lunghezza d'onda | 940nm |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Angolo di visione | 40° |
Orientamento | Side View |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole, Right Angle |
Pacchetto / caso | Radial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LTE-302 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LTE-302-FT |
CBM-120-UV-C14-I405-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J380-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J380-22
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J385-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J390-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J390-22
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J395-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-K395-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FA365-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FA365-22
Luminus Devices Inc.
A3PE3000L-FG484
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E2H29C1N
Intel
5SEE9H40I2L
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2AJC
Microchip Technology
EP4SGX110HF35I3G
Intel