casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSIC2SD120A20
codice articolo del costruttore | LSIC2SD120A20 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LSIC2SD120A20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Gen2 |
LSIC2SD120A20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 54.5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1142pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC2SD120A20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSIC2SD120A20-FT |
SF54-TP
Micro Commercial Co
SF55-AP
Micro Commercial Co
SF55-TP
Micro Commercial Co
SF56-AP
Micro Commercial Co
SF56-TP
Micro Commercial Co
SF58-AP
Micro Commercial Co
SF58-TP
Micro Commercial Co
SF61-AP
Micro Commercial Co
SF61-TP
Micro Commercial Co
SF62-AP
Micro Commercial Co
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel