casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / LR2F1M0
codice articolo del costruttore | LR2F1M0 |
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Numero di parte futuro | FT-LR2F1M0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LR, Neohm |
LR2F1M0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.75W, 3/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.382" L (3.50mm x 9.70mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LR2F1M0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LR2F1M0-FT |
LR0204F11K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F110K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F110R
TE Connectivity Passive Product
LR0204F11R
TE Connectivity Passive Product
LR0204F10K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F100K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F100R
TE Connectivity Passive Product
LR0204F10R
TE Connectivity Passive Product
LR0204F1K8
TE Connectivity Passive Product
LR0204F1K6
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation