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codice articolo del costruttore | LQW18AS51NG0ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AS51NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AS51NG0ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 51nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 600mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 200MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1.9GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS51NG0ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AS51NG0ZD-FT |
LQW18AN68NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN68NJ80D
Murata Electronics North America
LQW18AN69NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN69NJ80D
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LQW18AN6N0C80D
Murata Electronics North America
LQW18AN6N5C80D
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LQW18AN6N5G8ZD
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LQW18AN6N8C10D
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LQW18AN6N8C80D
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LQW18AN6N8D00D
Murata Electronics North America
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation