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codice articolo del costruttore | LQW18AS3N9J0ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AS3N9J0ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AS3N9J0ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 3.9nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6.9GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS3N9J0ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AS3N9J0ZD-FT |
LQW18AN58NJ8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN5N6C00D
Murata Electronics North America
LQW18AN5N6C8ZD
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
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M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel