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codice articolo del costruttore | LQW18AS3N6G0ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AS3N6G0ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AS3N6G0ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 3.6nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 63 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 5.9GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS3N6G0ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AS3N6G0ZD-FT |
LQW18AN52NJ8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN56NG80D
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LQW18AN58NG8ZD
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LQW18AN58NJ8ZD
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LQW18AN5N6C00D
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LQW18AN68NJ8ZD
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LQW18AN69NG8ZD
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel