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codice articolo del costruttore | LQW18AS11NG0ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AS11NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AS11NG0ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 11nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 86 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS11NG0ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AS11NG0ZD-FT |
LQW18AN43NG8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN44NG8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN44NJ8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN47NG8ZD
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LQW18AN47NJ8ZD
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LQW18AN4N1B8ZD
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LQW18AN4N1G8ZD
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel