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codice articolo del costruttore | LQW18AN9N1G8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AN9N1G8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AN9N1G8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 9.1nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 52 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4.75GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN9N1G8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AN9N1G8ZD-FT |
LQW18AN23NJ8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN24NG8ZD
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LQW18AN24NJ00D
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
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A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
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5SGXMB6R2F43I3LN
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EP4SE530H40C3N
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LCMXO256C-3MN100I
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5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
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EPF10K100EQC208-2X
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