casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LQW15AN9N1J8ZD
codice articolo del costruttore | LQW15AN9N1J8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW15AN9N1J8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN9N1J8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 9.1nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6.5GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN9N1J8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW15AN9N1J8ZD-FT |
LQW15AN6N6J8ZD
Murata Electronics North America
LQW15AN6N7G80D
Murata Electronics North America
LQW15AN6N7G8ZD
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LQW15AN6N7J80D
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LQW15AN6N7J8ZD
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LQW15AN6N8J8ZD
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LQW15AN6N9G8ZD
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XC3S200-4VQ100I
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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EP3SE80F1152I4N
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