casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LQW15AN8N9J8ZD
codice articolo del costruttore | LQW15AN8N9J8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW15AN8N9J8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN8N9J8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 8.9nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 1.42A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 31 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6.5GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN8N9J8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW15AN8N9J8ZD-FT |
LQW15AN6N4J80D
Murata Electronics North America
LQW15AN6N5B00D
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LQW15AN6N5G80D
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LQW15AN6N5G8ZD
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LQW15AN6N5J8ZD
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LQW15AN6N6G80D
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LQW15AN6N6J80D
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LQW15AN6N6J8ZD
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel