casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LQW15AN4N7D8ZD
codice articolo del costruttore | LQW15AN4N7D8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW15AN4N7D8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN4N7D8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 4.7nH |
Tolleranza | ±0.5nH |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 71 mOhm Max |
Q @ Freq | 31 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 8GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN4N7D8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW15AN4N7D8ZD-FT |
LQW15AN3N5D80D
Murata Electronics North America
LQW15AN3N5D8ZD
Murata Electronics North America
LQW15AN3N5G8ZD
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LQW15AN3N6B80D
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LQW15AN3N6C80D
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LQW15AN3N6C8ZD
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LQW15AN3N6D10D
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LQW15AN3N6D80D
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LQW15AN3N6D8ZD
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LQW15AN3N6G8ZD
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation