casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LQW15AN4N3C8ZD
codice articolo del costruttore | LQW15AN4N3C8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW15AN4N3C8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN4N3C8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 4.3nH |
Tolleranza | ±0.2nH |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 44 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 9.6GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN4N3C8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW15AN4N3C8ZD-FT |
LQW15AN33NJ8ZD
Murata Electronics North America
LQW15AN36NG00D
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LQW15AN36NG80D
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel