casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LQW15AN3N3B80D
codice articolo del costruttore | LQW15AN3N3B80D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LQW15AN3N3B80D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN3N3B80D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 3.3nH |
Tolleranza | ±0.1nH |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 14GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN3N3B80D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW15AN3N3B80D-FT |
LQW2BASR10G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR11G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR12G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR18G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR18J00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR22G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR24G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR24J00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR27G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR33G00L
Murata Electronics North America
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel