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codice articolo del costruttore | LQR2W822MSEJBN |
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Numero di parte futuro | FT-LQR2W822MSEJBN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQR |
LQR2W822MSEJBN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 8200µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 450V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 26.1A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 36.54A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.252" (31.80mm) |
Dimensione / Dimensione | 3.543" Dia (90.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 6.024" (153.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2W822MSEJBN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQR2W822MSEJBN-FT |
LQR2G821MSECBB
Nichicon
LQR2G821MSECBN
Nichicon
LQR2G822MSEHBB
Nichicon
LQR2G822MSEHBN
Nichicon
LQR2G822MSEJBB
Nichicon
LQR2G822MSEJBN
Nichicon
LQR2V102MSECBB
Nichicon
LQR2V102MSECBN
Nichicon
LQR2V103MSEHBB
Nichicon
LQR2V103MSEHBN
Nichicon
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5FG256C
Xilinx Inc.
A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22C7
Intel
5SGXEA4K3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152I4L
Intel