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codice articolo del costruttore | LQP03TG3N9C02D |
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Numero di parte futuro | FT-LQP03TG3N9C02D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQP03 |
LQP03TG3N9C02D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 3.9nH |
Tolleranza | ±0.2nH |
Valutazione attuale | 350mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 13 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQP03TG3N9C02D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQP03TG3N9C02D-FT |
LQP03TG0N3B02D
Murata Electronics North America
LQP03TG0N5B02D
Murata Electronics North America
LQP03TG1N0B02D
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LQP03TG1N4B02D
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LQP03TG1N5B02D
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LQP03TG0N2C02D
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel