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codice articolo del costruttore | LQP02HQ0N9B02E |
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Numero di parte futuro | FT-LQP02HQ0N9B02E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQP02 |
LQP02HQ0N9B02E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 0.9nH |
Tolleranza | ±0.1nH |
Valutazione attuale | 900mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 14 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 19GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.32mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQP02HQ0N9B02E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQP02HQ0N9B02E-FT |
LQW18ANR18J80D
Murata Electronics North America
LQW18ANR20G00D
Murata Electronics North America
LQW18ANR20G80D
Murata Electronics North America
LQW18ANR20G8ZD
Murata Electronics North America
LQW18ANR20J00D
Murata Electronics North America
LQW18ANR20J80D
Murata Electronics North America
LQW18ANR21G80D
Murata Electronics North America
LQW18ANR21J80D
Murata Electronics North America
LQW18ANR22G0ZD
Murata Electronics North America
LQW18ANR22G80D
Murata Electronics North America
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel