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codice articolo del costruttore | LPWI201610SR47T |
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Numero di parte futuro | FT-LPWI201610SR47T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LPWI |
LPWI201610SR47T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.8A |
Corrente - Saturazione | 4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610SR47T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LPWI201610SR47T-FT |
LQP02HQ3N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02L
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LQP02HQ3N3B02E
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LQP02HQ3N3B02L
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LQP02HQ3N3C02L
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LQP02HQ3N4C02E
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation