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codice articolo del costruttore | LPWI201610S2R2T |
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Numero di parte futuro | FT-LPWI201610S2R2T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LPWI |
LPWI201610S2R2T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | 1.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610S2R2T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LPWI201610S2R2T-FT |
LQP02HQ3N0B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02E
Murata Electronics North America
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel