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codice articolo del costruttore | LNY2W682MSEGBN |
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Numero di parte futuro | FT-LNY2W682MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2W682MSEGBN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 6800µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 450V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 19.1A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 26.74A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.126" (28.60mm) |
Dimensione / Dimensione | 2.500" Dia (63.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 8.386" (213.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2W682MSEGBN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LNY2W682MSEGBN-FT |
LNY2V103MSEHBN
Nichicon
LNY2V103MSEJBB
Nichicon
LNY2V103MSEJBN
Nichicon
LNY2V123MSEHBB
Nichicon
LNY2V123MSEHBN
Nichicon
LNY2V123MSEJBB
Nichicon
LNY2V123MSEJBN
Nichicon
LNY2V152MSEFBB
Nichicon
LNY2V152MSEFBN
Nichicon
LNY2V153MSEHBB
Nichicon
A1010B-PQG100C
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR2H43I2
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3LG
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EPF81188ARC240-3
Intel