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codice articolo del costruttore | LNY2V822MSEHBN |
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Numero di parte futuro | FT-LNY2V822MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2V822MSEHBN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 8200µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 350V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 20.2A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 28.28A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.252" (31.80mm) |
Dimensione / Dimensione | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 4.252" (108.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V822MSEHBN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LNY2V822MSEHBN-FT |
LNY2G123MSEJBN
Nichicon
LNY2G152MSEFBB
Nichicon
LNY2G152MSEFBN
Nichicon
LNY2G153MSEJBB
Nichicon
LNY2G153MSEJBN
Nichicon
LNY2G182MSEFBB
Nichicon
LNY2G182MSEFBN
Nichicon
LNY2G182MSEGBB
Nichicon
LNY2G182MSEGBN
Nichicon
LNY2G183MSEJBB
Nichicon
EPF6016ATC144-1N
Intel
10AX022E4F27E3SG
Intel
5SGXMA4K1F35C2N
Intel
XC6VHX380T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
AGLP030V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ160I
Microsemi Corporation
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35C1N
Intel