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codice articolo del costruttore | LNY2V682MSEGBN |
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Numero di parte futuro | FT-LNY2V682MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2V682MSEGBN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 6800µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 350V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 19.2A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 26.88A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.126" (28.60mm) |
Dimensione / Dimensione | 2.500" Dia (63.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 5.039" (128.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V682MSEGBN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LNY2V682MSEGBN-FT |
LNY2G103MSEJBN
Nichicon
LNY2G122MSEFBB
Nichicon
LNY2G122MSEFBN
Nichicon
LNY2G123MSEHBB
Nichicon
LNY2G123MSEHBN
Nichicon
LNY2G123MSEJBB
Nichicon
LNY2G123MSEJBN
Nichicon
LNY2G152MSEFBB
Nichicon
LNY2G152MSEFBN
Nichicon
LNY2G153MSEJBB
Nichicon
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C8
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel
EP1S40F780C6
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP4SGX290FF35I3N
Intel