casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / LND150N8-G
codice articolo del costruttore | LND150N8-G |
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Numero di parte futuro | FT-LND150N8-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LND150N8-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150N8-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LND150N8-G-FT |
PSMN014-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN045-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel