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Microchip Technology LND150N3-G-P002

Name: LND150N3-G-P002
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-P002
Price: 0.31312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (579 reviews)

Numero parte MFG: LND150N3-G-P002

quantità disponibile: 40150 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.31312

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fabbricante: Microchip Technology

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: LND150N3-G-P002.pdf

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LND150N3-G-P002 specificazioni

codice articolo del costruttore	LND150N3-G-P002
Numero di parte futuro	FT-LND150N3-G-P002
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
LND150N3-G-P002 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	740mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LND150N3-G-P002 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	LND150N3-G-P002-FT

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