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Microchip Technology LN100LA-G

Numero parte MFG
LN100LA-G
quantità disponibile
91950 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microchip Technology
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1200V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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LN100LA-G specificazioni

codice articolo del costruttore LN100LA-G
Numero di parte futuro FT-LN100LA-G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
LN100LA-G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Cascoded)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Potenza - Max 350mW
temperatura di esercizio -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore 6-LFGA (3x3)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LN100LA-G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio LN100LA-G-FT

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