casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LL4448 L0G
codice articolo del costruttore | LL4448 L0G |
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Numero di parte futuro | FT-LL4448 L0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LL4448 L0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL4448 L0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LL4448 L0G-FT |
SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel